微矽電子-創（8162）法說會日期、內容、AI重點整理

微矽電子-創（8162）法說會日期、直播、報告分析

公開資訊觀測站資訊

日期: 2026/03/20 14:30
地點: 台北市南京東路5段188號15樓(國票法人部)
相關說明: 本公司受邀參加國票證券舉辦之法人說明會，說明公司經營實績及未來展望。完整財務業務資訊請至公開資訊觀測站之法說會項目下查閱。
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本站AI重點整理分析

以下內容由AI生成：

微矽電子(8162)法人說明會報告整體分析與總結

微矽電子(8162)本次法人說明會報告展現了公司深耕半導體產業的雄厚實力與策略遠見，儘管2025年第四季度受多重因素影響導致營運表現下滑，但從全年角度來看，公司在各項財務指標及業務發展上均呈現強勁的復甦與成長動能。微矽電子已成功將自身定位於電源管理IC、MOSFET、第三代半導體（氮化鎵GaN、碳化矽SiC）及矽電容(Si-Cap)等高成長利基市場，並透過提供測試、薄化、封裝的一站式整合服務，強化其在供應鏈中的關鍵地位。

報告強調了AI、高效能運算(HPC)、電動車、再生能源、航太及先進封裝等未來趨勢對公司核心業務的強勁帶動作用。特別是氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)在高壓直流(HVDC)電源架構、機器人、無人機及低軌衛星等新興應用領域的爆炸性需求，為微矽電子提供了長期的結構性成長引擎。公司積極導入新製程技術與擴展服務範疇，例如晶圓正面金屬鍍膜(FSM)、Taiko Wafer BGBM超薄晶圓製程、矽電容後段製程及功率模組測試等，進一步鞏固其競爭優勢。

值得注意的是，台積電(TSMC)預計於2027年7月退出氮化鎵(GaN)市場，這將在短期內為微矽電子帶來大量測試訂單的轉單效應，有助於公司營收的提升。同時，類比IC市場的復甦與價格調漲，以及安世半導體(Nexperia)的轉單效應，也為公司未來營運提供了額外支持。

對股票市場的潛在影響

短期影響：2025年第四季度的營收與獲利下滑，可能在短期內對股價造成一定的壓力或修正。投資人可能會關注其季度表現，並對淡季效應、客戶轉型及外部因素（如DRAM缺貨、美國關稅）帶來的影響有所擔憂。然而，由於公司已針對成本上漲進行代工價格調漲，且強調部分下滑是因提前拉貨所致，這些負面因素有望逐漸消化。

長期影響：報告所揭示的長期成長動能非常強勁。公司在全球PMIC、MOSFET、GaN/SiC以及Si-Cap等關鍵市場的戰略佈局，以及在AI伺服器、電動車、再生能源、航太等高成長應用領域的深耕，預計將帶來持續且顯著的營收與獲利增長。新技術與新製程的導入，也將進一步提升公司的價值與市場份額。台積電退出GaN市場所帶來的轉單效應，雖屬短期利多，但若能有效承接並轉化為長期合作，將強化微矽電子在GaN供應鏈中的地位。這些因素共同為股價提供了扎實的長期上漲潛力。

對未來趨勢的判斷

短期趨勢 (2026年)：預期2026年將呈現逐季回溫的趨勢。隨著主要GaN客戶轉型調整完成，DDR5相關IC訂單量回穩，以及類比IC市場復甦，營收和毛利率有望逐步恢復。此外，晶圓正面金屬鍍膜(FSM)、Taiko Wafer BGBM、矽電容後段製程及功率模組測試等新項目將陸續進入小量量產，開始貢獻營收。台積電GaN轉單效應也將在關廠前逐步顯現，為短期營運提供動能。

長期趨勢 (2026年以後)：微矽電子將受惠於全球半導體產業的結構性轉變。AI伺服器與資料中心對高壓直流(HVDC)電源架構的需求，將推動GaN/SiC功率元件的爆發性成長。電動車、再生能源、機器人、無人機及低軌衛星等應用領域的持續擴張，也將帶來PMIC、MOSFET、GaN、SiC及Si-Cap的長期穩定需求。公司在這些前瞻性技術上的佈局與領先地位，將使其成為這些 megatrends 的主要受益者之一，實現可持續的長期成長。

投資人（特別是散戶）應注意的重點

分析季度與年度表現差異：理解2025年Q4的營運下滑主要受季節性、一次性轉型及外部因素影響，並非全面性衰退。應將目光放至2025年全年及對2026年的增長展望。

關注高成長領域的佈局：微矽電子在GaN、SiC、Si-Cap等第三代半導體及先進電容領域的深耕是其主要亮點。這些材料在AI、電動車、5G等未來科技中扮演關鍵角色，其成長潛力巨大。

追蹤新製程及新項目的進展：公司導入的FSM、Taiko Wafer BGBM、矽電容後段製程及功率模組測試等新服務，是未來成長的關鍵動能。應關注這些項目從客戶驗證到小量/大量量產的時程與實際營收貢獻。

評估台積電轉單效應：台積電退出GaN市場對微矽電子是個機會，但需評估實際能承接的訂單量、獲利能力以及此效應的持續性，是否能有效轉化為公司長期客戶。

密切觀察毛利率變化：貴金屬價格波動及設備利用率是影響毛利率的因素。公司已開始調漲代工價格以反應成本，應觀察未來毛利率能否持續回升並趨近甚至超越2022年水準。

留意產業景氣循環：半導體產業仍有其景氣循環特性。雖然微矽電子專注利基市場，但仍需關注總體經濟及下游應用市場（如PC/NB、伺服器）的健康狀況。

微矽電子(8162)法人說明會重點摘要

公司簡介與核心競爭力

成立與歷史：微矽電子成立於1987年，至今已深耕半導體產業39年。 (P.5, P.6)

資本與規模：實收資本額為新台幣6.87億元，員工人數約600人。2025年年度營收達新台幣12.74億元。 (P.5)

營運核心：以電源與節能為營運發展核心，專注於功率半導體利基市場。 (P.6)

服務整合：針對電源管理IC與功率元件，提供完整的測試、薄化、封裝一站式整合服務。 (P.6, P.7)

市場地位：為國內電源管理IC (PMIC)、MOSFET、氮化鎵(GaN)晶圓測試服務的最大供應商。 (P.6)

主要營業項目：

半導體測試 (晶圓測試CP、成品測試FT)。

晶圓薄化 (晶圓正面金屬鍍膜FSM、晶圓背面研磨與金屬鍍膜BGBM)。

半導體封裝 (晶圓切割、WLCSP-DPS封裝)。 (P.7)

營業據點：擁有苗栗竹南廠（負責晶圓測試、薄化、切割）與新竹竹東廠（負責晶圓測試、成品測試），兩廠土地及建物均為公司自有。 (P.8)

技術里程碑：持續投入先進技術，涵蓋PMIC、MOSFET、GaN、SiC及Si-Cap等測試與製程，並擴展至WLCSP-DPS封裝、BGBM、FSM等領域，顯示不斷提升技術能力。 (P.9)

營運概況與財務趨勢

2025年第四季營運成果 (P.11, P.19)

營收：新台幣2.88億元，季減17%，年減2%。

毛利率：17%，季減11個百分點，年減3個百分點。

營業利益：新台幣-0.01億元（營業虧損）。

稅後淨利：新台幣0.03億元。

EPS：新台幣0.04元。

Q4營運下滑主要原因：

傳統淡季，設備使用率下滑。

受美國關稅影響，Q1-Q3部分訂單提前拉貨，導致Q4訂單量下滑。

氮化鎵(GaN)主力客戶轉型，退出消費性市場，轉向高功率應用，影響短期營收（預計2026年逐季恢復）。

DDR5相關類比IC受DRAM缺貨影響，Q4訂單量放緩。

貴金屬價格上漲影響晶圓薄化毛利率，公司已開始調漲代工價格以反應成本。

2025年全年營運成果 (P.12, P.20)

營收：新台幣12.74億元，年增20%。

毛利率：25%，年增5個百分點。

營業利益：新台幣1.26億元。

稅後淨利：新台幣1.08億元。

EPS：新台幣1.57元。

2025年成長主要驅動因素：

PMIC：受惠PC、NB市場回溫，以及伺服器、HPC、DDR5市場成長。

MOSFET：受惠散熱風扇馬達驅動應用與高功率電源應用成長。

GaN：受惠無人機、機器人、伺服器應用成長。

營收比重與成長 (P.14, P.15, P.17, P.18)

分營業項目：

半導體測試仍為最大宗，2025年佔營收比重72% (年增1個百分點)，營收成長23%。

晶圓薄化佔21% (年減1個百分點)，營收成長11%。

半導體封裝佔7% (持平)，營收成長17%。

主要趨勢：半導體測試維持主導地位且成長強勁，晶圓薄化與半導體封裝也實現雙位數成長。

分產品製程：

電源管理IC測試佔51%，營收成長21%。

MOSFET晶圓薄化與測試佔33%，營收成長19%。

第三代半導體測試佔9%，營收成長17%。

半導體封裝佔7%，營收成長17%。

主要趨勢：各產品製程營收比重穩定，所有主要產品線在2025年均實現雙位數成長，顯示需求均衡且健康。

季度營收與毛利率趨勢 (P.19)

營收：2024年Q1至2025年Q3呈現穩定增長趨勢，從242,113千元增至349,022千元，但2025年Q4降至288,124千元，反映季節性影響。

產能利用率：與營收趨勢一致，從2024年Q1的54%提升至2025年Q2/Q3的79%，Q4則降至66%。

毛利率：受產能利用率影響，2024年Q2為最低12%，2025年Q2達到高峰31%，Q4回落至17%。

主要趨勢：營收、產能利用率與毛利率之間存在明顯的正相關性，2025年Q4的下滑反映了季節性和外部因素的綜合影響。

年度營收與獲利趨勢 (P.20)

營收：2022年為1,266,677千元，2023年下滑至904,879千元(YoY -29%)，隨後2024年強勁反彈至1,064,152千元(YoY +18%)，2025年進一步成長至1,274,773千元(YoY +20%)，超越2022年水準。

毛利率：2022年為32%，2023年跌至14%，2024年回升至20%，2025年進一步提升至25%。

營業利益與稅後淨利：2023年經歷虧損，2024年轉虧為盈，2025年獲利能力顯著增強。

EPS：2022年2.7元，2023年-0.39元，2024年1.28元，2025年1.57元。

主要趨勢：2025年全面恢復成長，營收創歷史新高，獲利能力顯著改善，顯示公司已走出2023年的谷底。

市場概況與應用

全球功率半導體市場趨勢 (P.22-P.26)

PMIC：2024年市場規模338.8億美元，預估至2029年將達482.3億美元，年複合成長率(CAGR) 7.2%。

MOSFET：2024年市場規模80.8億美元，預估至2029年將達114.7億美元，CAGR 7.3%。

GaN與SiC功率半導體：2024年市場規模14.2億美元，預估至2029年將達34.3億美元，CAGR 19.1%。

GaN功率元件：2024年市場規模4.509億美元，預估至2030年將達22億美元，CAGR 30.5%。

矽電容(Si-Cap)：2024年市場規模16.8億美元，預估至2029年將達22.1億美元，CAGR 5.7%。

主要趨勢：PMIC與MOSFET市場穩健成長，而GaN與SiC為高成長動能市場，CAGR接近20-30%，矽電容市場亦持續擴大。微矽電子所處的核心市場皆呈現正向成長。

主要產品市場應用 (P.28-P.38)

氮化鎵(GaN)應用：

快速充電器：已大量應用於手機、NB、平板、家電等，具備體積小、重量輕、充電速度快等優勢，市場滲透率持續上升。 (P.28)

無人機：廣泛應用於馬達驅動控制、DC-DC轉換、光達、電池管理系統等，提升效能、降低能耗，軍用、工業、商用、農業無人機需求快速成長。 (P.29)

機器人/機器狗：支援AI系統對大量電力與高效能的需求，應用於馬達驅動控制、DC-DC轉換、光達、電池管理系統，提升效率與響應速度。 (P.30)

資料中心/AI伺服器：在電源架構中扮演關鍵角色，提升電源效率與功率密度，應對算力提升帶來的功耗與散熱挑戰。 (P.31)

低軌衛星、航太：GaN具備抗輻射、耐高溫、高效率、小型化等特性，適用於DC/DC轉換器、負載點系統、馬達驅動器、離子推進器等，具巨大潛力。 (P.35)

碳化矽(SiC)應用：

電動車：應用於車載充電器、牽引逆變器、DC-DC轉換器與充電樁，受惠電動車市場大幅成長趨勢。 (P.36)

再生能源：廣泛應用於太陽能、風能與儲能系統，有效減少功率損耗與系統尺寸，受ESG趨勢驅動。 (P.37)

資料中心/AI伺服器高壓直流(HVDC)電源架構：

AI算力爆發推動電源規格升級，800VDC HVDC成為GaN/SiC終端應用的新亮點，將迎來高成長。 (P.32)

電源供應器從機架式轉為獨立電源櫃，系統電壓提升至800V，支援1MW以上IT機櫃電源，整體能源效率提升5%，銅材使用量減少45%，維護成本降低70%。 (P.32)

10KW全GaN DC-DC電源平台展示高達98.5%峰值效率與2.1 kW/in³功率密度。 (P.33)

NVIDIA的800VDC半導體合作夥伴持續擴大，包括Infineon、Navitas、Onsemi等多家大廠，驗證此技術趨勢。 (P.34)

矽電容(Si-Cap)應用：

體積小、厚度薄、電容密度高、可靠性高，高頻與電壓偏移特性佳，可穩定電源、抑制高頻雜訊。 (P.38)

在電源完整性與訊號完整性方面創造優勢，為推動AI算力與先進封裝的關鍵技術。 (P.38)

市場對高性能、高密度、小型化電容器需求快速提升，Si-Cap迎來高速成長期。 (P.38)

主要應用於AI與高效能運算(HPC)、光通訊模組(CPO)、行動通訊、汽車電子、航太、醫療與國防。 (P.38)

主要趨勢：公司核心技術應用於AI、5G、電動車、物聯網、航太等具前瞻性與高成長潛力的產業，顯示其市場機會廣泛。

營運展望與成長動能

類比IC市場復甦：類比IC大廠相繼調漲產品售價，全球類比IC市場復甦訊號明確。 (P.40)

HPC與網通市場：帶動DrMOS(Driver MOS)與SPS(Smart Power Stage)的成長。 (P.40)

高功率低功耗MOSFET：成長動能強勁，帶動相關晶圓薄化與晶圓測試的持續成長。 (P.40)

邊緣AI應用：推動AI PC/NB需求成長。 (P.40)

AI資料中心電力架構升級：帶動電源管理IC與功率元件需求的結構性增長，成為長期成長引擎。 (P.40)

HVDC高壓直流電力架構主流化：AI伺服器與資料中心功耗飆升，HVDC成為新主流，帶動氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)的需求爆發，成為重要成長引擎。 (P.41)

台積電退出GaN市場：預計2027年7月退出，關廠前投片潮將帶動大量測試需求。 (P.41)

安世半導體轉單效應：逐漸發酵，帶動MOSFET客戶需求上升。 (P.41)

新製程與服務導入：

FSM (晶圓正面金屬鍍膜)產品驗證完成，已進入小量量產。

預計Q3導入新製程Taiko Wafer BGBM，支援50um超薄MOSFET晶圓全自動化生產，指向車用與高端應用。

切入矽電容(Si-Cap)後段製程，客戶驗證中，預計下半年進入小量量產。

切入功率模組(Power Module)成品測試與Burn-in測試，無塵室擴建Q2完成，Q3進入小量量產。 (P.41)

GaN應用領域持續擴散：包括低軌衛星、AI伺服器、資料中心、BBU、機器人、機器狗、無人機、快速充電器、家電等。 (P.42)

2026年業績展望：在PMIC、MOSFET、GaN需求帶動下，2026年業績可望持續成長。 (P.42)

利多與利空資訊判斷

以下根據報告內容，判斷資訊為利多 (Bullish) 或利空 (Bearish)：

利多 (Bullish)

深耕半導體產業39年，經驗豐富： 具備穩固的產業基礎與技術know-how。(依據: P.5, P.6)

專注功率半導體利基市場，並為國內PMIC、MOSFET、GaN晶圓測試最大供應商： 具備領先市場地位及專業化優勢。(依據: P.6)

提供完整的測試、薄化、封裝一站式整合性服務： 強化客戶黏著度，提高附加價值。(依據: P.6, P.7)

2025年全年營收、毛利率、營業利益、稅後淨利、EPS均顯著成長： 顯示公司營運表現強勁，從2023年低谷反彈。(依據: P.12, P.20)

PMIC、MOSFET、GaN等主要產品線2025年均實現雙位數成長： 各業務項目均表現良好，成長動能穩健。(依據: P.15, P.18)

全球PMIC、MOSFET、GaN/SiC、Si-Cap市場預期將持續成長： 產業趨勢有利，公司產品符合市場主流。(依據: P.22, P.23, P.24, P.25, P.26)

GaN/SiC功率半導體市場2024-2029年複合成長率達19.1%。

GaN功率元件市場2024-2030年複合成長率達30.5%。

GaN應用領域持續擴散至低軌衛星、AI伺服器、機器人、無人機、快速充電器等高成長市場： 掌握未來科技發展趨勢，拓寬營收來源。(依據: P.28, P.29, P.30, P.35, P.42)

SiC應用於電動車與再生能源領域，需求量持續提升： 受惠於電動車普及及ESG趨勢。(依據: P.36, P.37)

Si-Cap因應AI算力與先進封裝需求，市場高速成長且應用廣泛： 切入新興高價值領域，具備廣闊市場前景。(依據: P.38)

AI資料中心電力架構升級(800VDC HVDC)推動GaN/SiC需求爆發： AI發展為公司提供長期結構性成長引擎，且能提升能源效率、降低成本。(依據: P.31, P.32, P.33, P.40, P.41)

NVIDIA 800VDC半導體合作夥伴陣容堅強，持續增加新夥伴： 顯示HVDC架構獲得業界大廠支持與採用，微矽電子參與其中有望受惠。(依據: P.34)

台積電預計2027年7月退出GaN市場，將帶動關廠前大量測試需求： 短期內有望承接轉單，推升營收。(依據: P.41)

新製程/新項目陸續導入與量產，包括FSM、Taiko Wafer BGBM、矽電容後段製程、功率模組成品測試與Burn-in測試： 顯示公司技術持續升級，開拓新服務，為未來成長儲備動能。(依據: P.41, P.42)

預計2026年業績可望持續成長： 公司對未來展望持樂觀態度。(依據: P.42)

類比IC大廠調漲產品售價，全球類比IC市場復甦訊號明確： 有利於整體供應鏈價格穩定與成長。(依據: P.40)

HPC與網通市場帶動DrMOS與SPS成長： 受惠於高效能運算需求增長。(依據: P.40)

安世半導體轉單效應發酵，帶動MOSFET客戶需求上升： 潛在的市場份額擴大。(依據: P.41)

利空 (Bearish)

2025年Q4營收、毛利率、營業利益、EPS顯著下滑： 短期營運表現不佳，可能影響市場信心。(依據: P.11, P.19)

QoQ營收下滑17%，YoY營收下滑2%。

QoQ毛利率下滑11ppts，YoY毛利率下滑3ppts。

Q4營業利益為負值。

Q4下滑原因歸咎於傳統淡季、美國關稅影響導致Q1-Q3提前拉貨、主力客戶GaN轉型、DRAM缺貨、貴金屬價格上漲等： 這些外部因素仍可能在短期內造成不確定性或營運壓力。(依據: P.11)

毛利率雖有回升，但2025年25%仍低於2022年32%的水準： 獲利能力尚未完全恢復到歷史高點，可能面臨成本壓力或市場競爭。(依據: P.20)

GaN主力客戶轉型，退出消費性市場： 雖然公司表示將轉向高功率應用，但短期內仍影響營收。(依據: P.11)

完整分析與總結

微矽電子(8162)的法人說明會報告展現了公司在半導體產業中的韌性與前瞻性。儘管2025年第四季度因傳統淡季、貿易政策、客戶轉型及供應鏈短缺等多重短期逆風影響，導致營收和獲利出現下滑，但從全年來看，公司仍實現了強勁的雙位數增長，並成功扭轉2023年的虧損局面，顯示其基本面良好且具備恢復能力。

公司核心競爭力在於其在功率半導體（PMIC、MOSFET、GaN、SiC）以及新興矽電容(Si-Cap)領域的深度佈局，並提供從測試、薄化到封裝的一站式整合服務。這些關鍵材料和製程正是驅動AI、電動車、5G通訊、資料中心、再生能源及航太等未來科技發展的基石。

展望未來，微矽電子的成長動能清晰且多元。短期內，類比IC市場的復甦、安世半導體的轉單效應，以及台積電退出GaN市場前可能帶來的測試需求，將為公司營運提供支撐。更重要的是，公司在2026年將有多個新製程和新項目（如FSM、Taiko Wafer BGBM、Si-Cap後段製程、功率模組測試）陸續進入小量量產，這些新服務的貢獻將逐步顯現，為營收增長注入新動能。

長期而言，AI運算力的爆發式增長所帶動的資料中心HVDC高壓直流電源架構升級，對高效率、高功率密度的GaN/SiC功率元件需求巨大，這將成為微矽電子最主要的結構性成長引擎。此外，GaN在機器人、無人機、低軌衛星等新興領域的持續擴散應用，以及SiC在電動車和再生能源市場的普及，都將為公司帶來長期且穩定的需求。

因此，微矽電子雖然在短期內面臨一些挑戰，但其戰略定位與技術佈局使其能夠緊密契合全球半導體產業的長期發展趨勢，特別是在高效能運算與綠色能源轉型的大背景下。公司不僅在現有核心業務上表現優異，更積極拓展高附加價值的新興領域，為未來的持續成長奠定了堅實基礎。

對股票市場的潛在影響

微矽電子的股票在短期內可能會因2025年第四季度的負面財報而受到市場情緒影響，導致股價波動或修正。然而，長期來看，公司在AI、電動車、第三代半導體等高成長領域的策略性佈局，以及新製程和新項目的陸續投產，預期將帶來顯著的營收和獲利增長，為股價提供強勁的支撐和上漲潛力。台積電退出GaN市場所創造的機會，也可能成為短期內刺激股價的催化劑。對於著眼長期的投資者而言，這份報告釋放了許多積極信號。

對未來趨勢的判斷（短期或長期）

短期趨勢 (2026年)： 預期將是築底回升的一年。隨著Q4不利因素的逐步消退，以及新項目的貢獻開始顯現，營運表現將有望逐季改善，實現全年營收和獲利的持續增長。

長期趨勢 (2026年以後)： 微矽電子正處於多個長期結構性成長週期的交匯點。AI、電動車、智慧製造和潔淨能源將持續推動對高效能功率半導體及先進封裝技術的需求。公司在GaN、SiC及Si-Cap等領域的領先地位，將確保其在這些 megatrends 中佔據有利位置，實現可持續的強勁增長。

投資人（特別是散戶）應注意的重點

散戶投資人應超越單一季度的財報表現，深入理解微矽電子的長期成長策略和產業地位。應將重點放在公司在AI伺服器、電動車、第三代半導體等未來高成長應用領域的業務拓展情況，以及新製程和新產品的實際量產進度。此外，需密切關注公司毛利率的變化趨勢，因為這直接關係到其獲利能力的恢復。雖然台積電的轉單是個亮點，但長期投資價值仍應回歸到微矽電子自身的核心競爭力與持續創新能力。建議關注公司未來幾個季度的營運數據，以確認其復甦趨勢和新業務的動能是否符合預期。

之前法說會的資訊

日期: 2025/08/11 14:30
地點: 台北市忠孝東路二段95號(兆豐證券大樓13樓會議廳)
相關說明: 本公司受邀參加兆豐證券舉辦之法人說明會，說明公司經營實績及未來展望。完整財務業務資訊請至公開資訊觀測站之法說會項目下查閱。
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日期: 2025/01/13 14:30
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